RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Vergleichen Sie
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Gesamtnote
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Gesamtnote
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
31
Rund um 26% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.5
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
5.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.6
10.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1751
2330
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB RAM-Vergleiche
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link