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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
71
Rund um 65% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
13.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
5.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
71
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
5.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
1344
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
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