RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
40
Rund um 38% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
40
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
13.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
3180
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link