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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
46
Rund um 46% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.6
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
46
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
20.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
13.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
2973
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
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