RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
25
Rund um -25% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.1
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
19.3
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
20.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
19.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
4215
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link