RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
33
Rund um 24% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
12.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
2973
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link