RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
25
Rund um -32% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.8
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.0
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
19.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
15.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
3370
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link