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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
28
Rund um 11% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
13
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.4
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
13.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
10.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
2757
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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