Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Gesamtnote
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Gesamtnote
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Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Unterschiede

Samsung 1600 CL10 Series 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    25 left arrow 74
    Rund um 66% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    16.1 left arrow 13.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    10.1 left arrow 7.7
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 12800
    Rund um 1.66 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    25 left arrow 74
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    16.1 left arrow 13.6
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    10.1 left arrow 7.7
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2764 left arrow 1616
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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