RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
43
Rund um -19% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.2
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
14.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
2938
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link