RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
43
Rund um -16% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.2
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
12.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
2863
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link