RAM-Vergleich Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Gesamtnote

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

14.9 9.5

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

9.6 7.7

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

37 43

Rund um -16% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps

17000 12800

Rund um 1.33 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2506 1949

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns