RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
10.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
59
Rund um -55% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
10.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
2429
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link