RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
59
Rund um -74% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
12.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
2756
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
InnoDisk Corporation 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link