RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
59
Rund um -103% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
12.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
3273
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link