RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
59
Rund um -74% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
2,123.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
9.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
2576
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link