RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
59
Rund um -103% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
18.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
14.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
3480
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link