RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
59
Rund um -97% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
14.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
3606
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link