RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
59
64
Rund um 8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.8
2,123.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
64
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
8.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
2103
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
InnoDisk Corporation 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link