RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
59
83
Rund um 29% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
2,123.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
83
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
8.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
1774
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link