RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gesamtnote
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
69
Rund um -214% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
1,857.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,217.2
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,857.7
13.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
668
3162
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link