RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
69
Rund um -156% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.6
1,857.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,217.2
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,857.7
11.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
668
2291
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Kingston KHX2400C11D3/8GX 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link