RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
69
Rund um -109% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
1,857.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,217.2
11.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,857.7
8.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
668
2227
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link