RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gesamtnote
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
69
Rund um -92% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.1
1,857.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,217.2
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,857.7
11.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
668
2653
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB RAM-Vergleiche
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Mushkin 991586 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link