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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
takeMS International AG TMS2GB264D081-805G 2GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs takeMS International AG TMS2GB264D081-805G 2GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D081-805G 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D081-805G 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
57
69
Rund um -21% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,383.4
1,857.7
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
takeMS International AG TMS2GB264D081-805G 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR2
Latenzzeit in PassMark, ns
69
57
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,217.2
3,759.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,857.7
2,383.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
6400
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
668
715
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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