RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
16.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
46
Rund um -59% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
3200
Rund um 6.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
16.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
12.5
Speicherbandbreite, mbps
3200
21300
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3220
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link