RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
46
Rund um -35% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
3200
Rund um 6.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
13.7
Speicherbandbreite, mbps
3200
21300
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3153
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
OCZ OCZ2P11502G 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link