RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
19.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
46
Rund um -92% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.9
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
3200
Rund um 5.31 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
19.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
15.9
Speicherbandbreite, mbps
3200
17000
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3779
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB RAM-Vergleiche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link