RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
17.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
46
Rund um -59% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
3200
Rund um 6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
13.4
Speicherbandbreite, mbps
3200
19200
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3199
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link