Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Gesamtnote
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Gesamtnote
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Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Unterschiede

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    2 left arrow 11.7
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    3200 left arrow 1900
    Rund um 1.68% höhere Bandbreite
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    45 left arrow 46
    Rund um -2% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.4 left arrow 1,519.2
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    46 left arrow 45
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    2,909.8 left arrow 11.7
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,519.2 left arrow 8.4
  • Speicherbandbreite, mbps
    3200 left arrow 1900
Other
  • Beschreibung
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow no data
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    241 left arrow 2387
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RAM 1
RAM 2

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