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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
3200
1900
Rund um 1.68% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
45
46
Rund um -2% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
45
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
11.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
8.4
Speicherbandbreite, mbps
3200
1900
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
no data
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
2387
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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