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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
79
Rund um 42% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
3200
Rund um 6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
79
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
7.9
Speicherbandbreite, mbps
3200
19200
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
1710
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
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