Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB

Gesamtnote
star star star star star
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Gesamtnote
star star star star star
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB

Unterschiede

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    2 left arrow 13.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    29 left arrow 46
    Rund um -59% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    10.6 left arrow 1,519.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 3200
    Rund um 5.31 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    46 left arrow 29
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    2,909.8 left arrow 13.2
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,519.2 left arrow 10.6
  • Speicherbandbreite, mbps
    3200 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    241 left arrow 2464
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche