RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
60
Rund um -122% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,595.2
17.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
13.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
941
3237
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link