RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
60
67
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
2,168.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
67
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,595.2
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
8.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
941
2030
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link