RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
60
67
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
2,168.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
67
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,595.2
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
8.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
941
2030
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
INTENSO 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link