RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
60
63
Rund um 5% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
63
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,595.2
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
12.7
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
941
2543
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link