RAM-Vergleich Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Gesamtnote

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

4 20.5

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

2,168.2 15.5

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

31 60

Rund um -94% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps

25600 5300

Rund um 4.83 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit

5-5-5-15 / 667 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

941 3649

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns