RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,784.6
16.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
65
Rund um -150% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,806.8
18.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,784.6
16.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
932
3866
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Jinyu 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Team Group Inc. 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link