RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
64
65
Rund um -2% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.8
2,784.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
64
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,806.8
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,784.6
8.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
932
2065
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link