RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,784.6
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
65
Rund um -132% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,806.8
18.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,784.6
15.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
932
3705
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link