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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
19.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,784.6
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
65
Rund um -81% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,806.8
19.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,784.6
11.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
932
3256
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
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