RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
77
Rund um -235% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
18.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
13.7
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
3152
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link