RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
77
Rund um -133% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
2,622.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
10.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
8.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
2283
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link