RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
77
Rund um -120% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
11.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
2699
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link