RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
19.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
15.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
77
Rund um -208% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
19.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
15.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
3680
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link