RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
13.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
77
Rund um -126% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
13.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
3114
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link