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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
19.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
17.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
77
Rund um -221% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
17.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
3809
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
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