RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.6
2,622.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
77
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
7.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
1688
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Jinyu 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link