Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

Gesamtnote
star star star star star
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Gesamtnote
star star star star star
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

Unterschiede

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3 left arrow 11.4
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    43 left arrow 77
    Rund um -79% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.5 left arrow 2,622.0
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 5300
    Rund um 3.21 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    77 left arrow 43
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3,405.2 left arrow 11.4
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,622.0 left arrow 9.5
  • Speicherbandbreite, mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    763 left arrow 2532
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche