RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Gesamtnote
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
36
Rund um -38% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
23.1
15
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
19.0
10.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.0
23.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
19.0
Speicherbandbreite, mbps
17000
21300
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2569
4276
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link