RAM-Vergleich Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB

Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB

Gesamtnote

Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB

Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

16.8 15.9

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

12.1 12.0

Durchschnittswert bei den Tests

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB

SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2952 2641

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns